(서울=연합인포맥스) 김경림 기자 = 삼성전자와 네덜란드의 ASML이 공동으로 짓는 연구소에 차세대 극자외선(EUV) 노광장비인 ‘하이-NA EUV’가 오는 2027년 반입된다.
하이-NA EUV는 2나노(nm) 이하 초미세 공정의 핵심으로, 최근 인텔이 ASML로부터 처음으로 공급받기 시작했다.
이우경 ASML 한국지사 대표는 전일(31일) 삼성동 인터콘티넨탈 파르나스 호텔 그랜드볼룸에서 열린 ‘세미콘코리아 2024 인더스트리 리더십 디너’에 참석해 기자들과 만나 “(삼성-ASML 공동연구소는) 하이-NA 장비를 위해 만든 것”이라며 “공사가 빨리 진행될 경우, 2027년께 반입을 할 수 있을 것”이라고 말했다.
그러면서 “장비를 빨리 들여오는 것이 목표다”며 “(착공 시점은) 올해 12월에 시작하는 것”이라고 부연했다.
NA값은 렌즈의 해상도를 결정하는 요소로, 값이 클수록 더 작은 패턴을 인쇄할 수 있다. 하이-NA EUV는 기존 장비보다 더 높은 해상도를 제공, 더 작은 회로를 만들어 반도체 성능과 전력 효율을 높일 수 있다.
삼성전자는 지난해 12월 네덜란드 현지에서 ASML과 협약을 맺고, 총 7억 유로(약 1조원)를 들여 경기도 화성시 동탄에 공동 연구소를 설립하기로 확정했다. 공동 연구소 설립으로 양사는 긴밀한 협의를 통해 D램과 로직 반도체에 특화한 장비 개발에 나선다. 이미 부지는 마련한 단계로 연내 건축 인허가 과정을 거쳐 착공할 계획이다.
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